GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
标准类型 推荐性国家标准
文件格式
标准大小 1.54 MB
标准质量 ★★★★★
下载次数
发布日期 2017-05-12
实施日期 2017-12-01
标准分类 L56 31.200
标准简介 本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范,其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料,基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元,100 nm~300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
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