GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
GB/T 33657-2017
国家标准推荐性标准GB/T 33657-2017标准状态
- 发布于:2017-05-12
- 实施于:2017-12-01
- 废止
内容简介
国家标准《纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范》由TC279(全国纳米技术标准化技术委员会)归口,主管部门为中国科学院。
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范,其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料,基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元,100nm~300nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
起草单位
中国科学院上海微系统与信息技术研究所、
起草人
陈一峰、 陈小刚、 宋志棠、
相近标准
20210660-T-491 纳米技术 碳纳米管电学特性测试方法
20214317-T-491 纳米技术 纳米发电机 第1部分:术语
20221613-Z-491 纳米技术 混合粉尘制造环境空气中纳米级炭黑和无定形二氧化硅浓度的测量方法
20214154-Z-491 纳米技术 纳米银性能测试方法指南
20232768-T-491 纳米技术 碳纳米管样品的热重表征方法
20212949-T-491 纳米技术 空气过滤用纳米纤维滤材 第1部分 技术要求
GB/T 33715-2017 纳米技术 纳米技术职业场所健康和安全指南
GB/T 37156-2018 纳米技术 材料规范 纳米物体特性指南
20221614-T-491 纳米技术 纳米多孔材料储氢量测定 气体吸附法
20221615-T-491 纳米技术 纳米发电机 第2部分:摩擦纳米发电机电性能测试方法
* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。
- 标准质量:
- ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准,期待。
② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们,感谢!
③ 本站资源均来源于互联网,仅供网友学习交流,若侵犯了您的权益,请联系我们予以删除。
下载说明
「相关推荐」
- 1 GB/T 12859.1-2012 电子元器件质量评定体系规范 压电陶瓷谐振器
- 2 GB/T 33922-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法
- 3 GB/T 34034-2017 普通照明用LED产品光辐射安全要求
- 4 GB/T 4588.4-2017 刚性多层印制板分规范
- 5 GB/T 33929-2017 MEMS高g值加速度传感器性能试验方法
- 6 GB/T 16315-2017 印制电路用覆铜箔聚酰亚胺玻纤布层压板
- 7 GB/T 4723-2017 印制电路用覆铜箔酚醛纸层压板
- 8 GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法
- 9 GB/T 12631-2017 印制板导线电阻测试方法
- 10 GB/T 4724-2017 印制电路用覆铜箔复合基层压板
- 11 GB/T 13557-2017 印制电路用挠性覆铜箔材料试验方法
- 12 GB/T 6663.1-2007 直热式负温度系数热敏电阻器 第1部分:总规范