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GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

GB/T 41325-2022

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标准GB/T 41325-2022标准状态

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  • 标准名称：集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
  • 标准号：GB/T 41325-2022
    中国标准分类号：H82
  • 发布日期：2022-03-09
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2022-10-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向、电阻率0.1Ω·cm ~ 100Ω·cm的Low-COP抛光片。

起草单位

有研半导体硅材料股份公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中环领先半导体材料有限公司、山东有研半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体有限公司、

起草人

孙燕、 宁永铎、 徐新华、 骆红、 张海英、 由佰玲、 钟耕杭、李洋、杨素心、李素青、潘金平、

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