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GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

GB/T 41325-2022

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标准GB/T 41325-2022标准状态

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标准详情

  • 标准号:GB/T 41325-2022
    中国标准分类号:H82
  • 发布日期:2022-03-09
    国际标准分类号:29.045
  • 实施日期:2022-10-01
    技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准:
    执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
  • 标准状态:即将实施
    主管部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位

有研半导体硅材料股份公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中环领先半导体材料有限公司、 山东有研半导体材料有限公司、 南京国盛电子有限公司、 浙江金瑞泓科技股份有限公司、 浙江海纳半导体有限公司、

起草人

孙燕、宁永铎、徐新华、骆红、张海英、由佰玲、钟耕杭、李洋、杨素心、李素青、潘金平、

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