GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14142-2017
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标准GB/T 14142-2017标准状态
- 发布于:2017-09-29
- 实施于:2018-04-01
- 废止
内容简介
国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验,硅外延层厚度大于2μm,缺陷密度的测试范围0~10000cm-2。
起草单位
南京国盛电子有研公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、有研半导体材料有限公司、
起草人
马林宝、 骆红、 陈赫、 张海英、 杨帆、刘小青、
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