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GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method

GB/T 17170-1997

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  • 标准名称：非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
  • 标准号：GB/T 17170-1997
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：1997-12-22
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：1998-08-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：被GB/T 17170-2015代替
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。

起草单位

电子工业部第四十六研究所、

起草人

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