GB/T 13539.4-2016 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求_标准下载

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GB/T 13539.4-2016 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses—Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

GB/T 13539.4-2016

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标准GB/T 13539.4-2016标准状态

发布于：2016-04-25
实施于：2016-11-01
废止

标准详情

标准名称：低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求
标准号：GB/T 13539.4-2016
中国标准分类号：K31
发布日期：2016-04-25
国际标准分类号：29.120.50
实施日期：2016-11-01
技术归口：全国熔断器标准化技术委员会
代替标准：代替GB/T 13539.4-2009
主管部门：中国电器工业协会
标准分类：电气工程电工器件熔断器和其他过载保护装置

内容简介

国家标准《低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求》由TC340（全国熔断器标准化技术委员会）归口，TC340SC2（全国熔断器标准化技术委员会低压熔断器分会）执行，主管部门为中国电器工业协会。
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000v或直流1500v的电路如适用，还可用于更高的标称电压的电路。注1 此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。注2：在多数情况下，组合设备的一部分可用作熔断器底座由于设备的多样性，难以作出一般的规定组合设备是否适合作熔断器底座，宜由用户与制造厂协商。但是，如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件，他们应符合IEC60269-1：2006的相关要求。注3：IEC60269-6专用于太阳能光伏系统的保护。本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了：a）熔断体的下列特性：1）额定值；2）正常工作时的温升；3）耗散功率4）时间一电流特性；5）分断能力；6）截断电流特性和特性；7）电弧电压特性。b）验证熔断体特性的型式试验c）熔断体标志；d）应提供的技术数据（见附录BB）。

起草单位

上海电器科学研究院、人民电器集团有限公司、西安西整熔断器厂、浙江正泰电器股份有限公司、上海西门子线路保护系统有限公司、浙江新力熔断器有限公司、西安中熔电气有限公司、上海电器设备检测所、上海电器陶瓷厂有限公司、好利来（中国）电子科技股份有限公司、美尔森电气保护系统（上海）有限公司、浙江西熔电气有限公司、温州三实电器有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司、库柏西安熔断器有限公司、

起草人

吴庆云、张丽丽、赖文辉、刘双库、李振飞、周纲、郑爱国、石晓光、林海鸥、李全安、贾炜、李传上、黄旭雄、方径林、张懿、易颖、

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