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GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法

Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density

GB/T 8760-2006

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标准GB/T 8760-2006标准状态

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  • 标准名称：砷化镓单晶位错密度的测量方法
  • 标准号：GB/T 8760-2006
    中国标准分类号：H17
  • 发布日期：2006-07-18
    国际标准分类号：77.040.01
  • 实施日期：2006-11-01
    技术归口：中国有色金属工业协会
  • 代替标准：代替GB/T 8760-1988被GB/T 8760-2020代替
    主管部门：中国有色金属工业协会
  • 标准分类：冶金金属材料试验金属材料试验综合

内容简介

国家标准《砷化镓单晶位错密度的测量方法》由610（中国有色金属工业协会）归口，主管部门为中国有色金属工业协会。
本标准适用于位错密度为（0～1000000）个/cm的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。

起草单位

北京有色金属研究总院、

起草人

王彤涵、

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