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GB/T 13539.4-2009 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

GB/T 13539.4-2009

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标准GB/T 13539.4-2009标准状态

发布于：2009-04-21
实施于：2009-11-01
废止

标准详情

标准名称：低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求
标准号：GB/T 13539.4-2009
中国标准分类号：K31
发布日期：2009-04-21
国际标准分类号：29.120.50
实施日期：2009-11-01
技术归口：全国熔断器标准化技术委员会
代替标准：代替GB/T 13539.7-2005,GB/T 13539.4-2005被GB/T 13539.4-2016代替
主管部门：中国电器工业协会
标准分类：电气工程电工器件熔断器和其他过载保护装置

内容简介

国家标准《低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求》由TC340（全国熔断器标准化技术委员会）归口，主管部门为中国电器工业协会。
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或直流1500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。注1：此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。注2：在多数情况下，组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性，难以作出一般的规定；组合设备是否适合作熔断器底座，应由用户与制造厂协商。但是，如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件，他们应符合GB 13539.1-2008的相关要求。本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了：a) 熔断体的下列特性：1) 额定值；2) 正常工作时的温升；3) 耗散功率；4) 时间-电流特性；5) 分断能力；6) 截断电流特性和I2t特性；7) 电弧电压极限值。b) 验证熔断体特性的型式试验；c) 熔断体标志；d) 应提供的技术数据(见附录B)。

起草单位

上海电器科学研究所(集团)有限公司、西安西整熔断器厂等、上海电器陶瓷厂有限公司、

起草人

季慧玉、吴庆云、林海鸥、

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