GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法_标准下载

当前位置：标准网国家标准

GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

GB/T 14146-2009

国家标准推荐性

收藏报错

标准GB/T 14146-2009标准状态

发布于：2009-10-30
实施于：2010-06-01
废止

标准详情

标准名称：硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
标准号：GB/T 14146-2009
中国标准分类号：H80
发布日期：2009-10-30
国际标准分类号：29.045
实施日期：2010-06-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：代替GB/T 14146-1993被GB/T 14146-2021代替
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容－电压测量方法。 u3000u3000本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。

起草单位

南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心、宁波立立电子股份有限公司、

起草人

马林宝、唐有青、金龙、吕立平、刘培东、李静、

相近标准

GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针方法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法
YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
YS/T 14-1991 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

标准网本地下载