GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法_标准下载

GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance

GB/T 26068-2010

国家标准推荐性

收藏报错

标准GB/T 26068-2010标准状态

发布于：2011-01-10
实施于：2011-10-01
废止

标准详情

标准名称：硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
标准号：GB/T 26068-2010
中国标准分类号：H80
发布日期：2011-01-10
国际标准分类号：29.045
实施日期：2011-10-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：被GB/T 26068-2018代替
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
1．1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。1．2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.051Ω.cm～11Ω.cm之间。?注：本检测方法适用于测量0.25us到>1ms范围内的载流于复合寿命．晕短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝化程度。配以适当的钝化工艺，如热氧化或浸入适当的溶液中，对于GB／T12964《硅单晶抛光片》中规定厚度的抛光片，长到数十毫秒的寿命值也可被测定。1．3 分析工艺过程，检查沽污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过比对某特定工艺前后载流子复合寿命测试值，可以以别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。

起草单位

有研半导体材料股份有限公司、中国计量科学研究院、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司等、

起草人

曹孜、孙燕、黄黎、高英、

相近标准

GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法
GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法
GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试非接触涡流感应法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 42744-2023 微波电路电调衰减器测试方法
DB12/T 1015—2020 奶牛养殖场粪水中氮磷的测定中红外衰减全反射光谱法
GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
20160465-T-491 石墨烯材料电导率测试方法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

标准网本地下载

标准质量：

下载说明

① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。

在线纠错

标准过期下载问题模糊有误其它问题