GB/T 41853-2022 半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量_标准下载

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GB/T 41853-2022 半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量

Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement

GB/T 41853-2022

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标准GB/T 41853-2022标准状态

发布于：2022-10-12
实施于：2022-10-12
废止

标准详情

标准名称：半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量
标准号：GB/T 41853-2022
中国标准分类号：L55
发布日期：2022-10-12
国际标准分类号：31.080.99
实施日期：2022-10-12
技术归口：全国微机电技术标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电子学半导体分立器件其他半导体分立器件

内容简介

国家标准《半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅-硅共熔键合、硅-玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。

起草单位

中国电子科技集团公司第十三研究所、中机生产力促进中心有限公司、杭州左蓝微电子技术有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司、河北美泰电子科技有限公司、华东光电集成器件研究所、深圳市美思先端电子有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、

起草人

李倩、王伟强、翟晓飞、何凯旋、崔波、武斌、王冲、顾枫、李根梓、田松杰、刘建生、汪蔚、高峰、

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