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GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法

GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法

Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement

GB/T 42271-2022

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标准GB/T 42271-2022标准状态

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  • 标准名称：半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
  • 标准号：GB/T 42271-2022
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：2022-12-30
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2023-04-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。本文件适用于测量电阻率范围为1×105Ω·cm~1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。

起草单位

北京天科合达半导体股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、有色金属技术经济研究院有限责任公司、

起草人

彭同华、 佘宗静、 李素青、 王波、 刘立娜、 王大军、张贺、杨建、袁松、

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