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GB/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法

GB/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法

Test methods of the performances for MEMS piezoresistive pressure-sensitive device

GB/T 42191-2023

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标准GB/T 42191-2023标准状态

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标准详情

  • 标准名称：MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法
  • 标准号：GB/T 42191-2023
    中国标准分类号：L59
  • 发布日期：2023-05-23
    国际标准分类号：31.080.99
  • 实施日期：2023-09-01
    技术归口：全国微机电技术标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电子学半导体分立器件其他半导体分立器件

内容简介

国家标准《MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了 MEMS 压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。本文件适用于 MEMS 压阻式压力敏感器件。

起草单位

北京大学、北京智芯传感科技有限公司、厦门光莆电子股份有限公司、宁波志伦电子有限公司、华东光电集成器件研究所、南京高华科技股份有限公司、湖南国天电子科技有限公司、广州广电计量检测股份有限公司、深圳安培龙科技股份有限公司、中机生产力促进中心有限公司、昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司、江门市润宇传感器科技有限公司、广州奥松电子股份有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、中国科学院微电子研究所、南京沃天科技股份有限公司、武汉飞恩微电子有限公司、昆山传感器测控技术有限公司、

起草人

张威、 顾枫、 李宋、 张亚婷、 林瑞梅、 李树成、 王鹏、 李晓波、 陈路、 高峰、 陈君杰、 王冰、 李根梓、陈广忠、张良、陈立国、茅曙、张宾、许宙、王玮冰、明志茂、曹万、

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