GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法_标准下载

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GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法

Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method

GB/T 42902-2023

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标准GB/T 42902-2023标准状态

发布于：2023-08-06
实施于：2024-03-01
废止

标准详情

标准名称：碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法
标准号：GB/T 42902-2023
中国标准分类号：H21
发布日期：2023-08-06
国际标准分类号：77.040
实施日期：2024-03-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

起草单位

安徽长飞先进半导体有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、浙江芯科半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、广东天域半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、

起草人

钮应喜、袁松、仇光寅、李京波、杨龙、闫果果、张会娟、刘敏、彭铁坤、袁肇耿、

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