GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法_标准下载

GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法

Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics

GB/T 43313-2023

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标准GB/T 43313-2023标准状态

发布于：2023-11-27
实施于：2024-06-01
废止

标准详情

标准名称：碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法
标准号：GB/T 43313-2023
中国标准分类号：H21
发布日期：2023-11-27
国际标准分类号：77.040
实施日期：2024-06-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质it和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。本文件适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm，厚度范围为300μm~1000μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、常州臻晶半导体有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、中国科学院半导体研究所、浙江东尼电子股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、

起草人

姚康、刘立娜、马春喜、高飞、郑红军、房玉龙、刘薇、李嘉炜、杨玉聪、黄树福、何烜坤、李素青、张红岩、陆敏、芦伟立、丁雄杰、晏阳、钮应喜、

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