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GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers

GB/T 31351-2014

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标准GB/T 31351-2014标准状态

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  • 标准名称：碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
  • 标准号：GB/T 31351-2014
    中国标准分类号：H26
  • 发布日期：2014-12-31
    国际标准分类号：77.040.99
  • 实施日期：2015-09-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验金属材料的其他试验方法

内容简介

国家标准《碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。

起草单位

北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所、

起草人

陈小龙、 郑红军、 刘振洲、 张玮、郭钰、

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