当前位置：标准网 国家标准

GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法

GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法

Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers

GB/T 32278-2015

国家标准推荐性
收藏 报错

标准GB/T 32278-2015标准状态

  1. 发布于：
  2. 实施于：
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称：碳化硅单晶片平整度测试方法
  • 标准号：GB/T 32278-2015
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：2015-12-10
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2017-01-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《碳化硅单晶片平整度测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度,即总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)、弯曲度(Bow)、翘曲度(Warp)的测试方法。 本标准适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm,厚度0.13mm~1mm 碳化硅单晶抛光片平整度的测试。

起草单位

北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所、

起草人

陈小龙、 郑红军、 张玮、郭钰、

相近标准

20231112-T-469 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
20231108-T-469 碳化硅单晶片微管密度测试方法
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
20231113-T-469 半导体晶片直径测试方法
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

点击下载
  • 标准质量：

    • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
    ② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
    ③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。
  • 在线纠错
    • 标准过期 下载问题 模糊有误 其它问题

    「相关推荐」