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GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法

GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法

The inspecting method of AB microscopic defect in gallium arsenide single crystal

GB/T 18032-2000

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标准GB/T 18032-2000标准状态

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  • 标准名称：砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
  • 标准号：GB/T 18032-2000
    中国标准分类号：H24
  • 发布日期：2000-04-03
    国际标准分类号：77.040.01
  • 实施日期：2000-09-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验金属材料试验综合

内容简介

国家标准《砷化镓单晶AB微缺陷检验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了砷化镓单晶AB微缺陷的检验方法。 本标准适用于砷化镓单晶AB微缺陷密度（AB－EPD）的检验。检验面为（100）面。测量范围小于 5 X10 cm

起草单位

北京有色金属研究总院、

起草人

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