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GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

GB/T 11073-2007

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标准GB/T 11073-2007标准状态

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  • 标准名称：硅片径向电阻率变化的测量方法
  • 标准号：GB/T 11073-2007
    中国标准分类号：H17
  • 发布日期：2007-09-11
    国际标准分类号：77.040.01
  • 实施日期：2008-02-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会,全国有色金属标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 11073-1989
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验金属材料试验综合

内容简介

国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）、全国有色金属标准化技术委员会联合归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

起草单位

峨嵋山半导体材料厂、

起草人

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