GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法_标准下载

GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法

Test method for measuring oxygen, carbon, boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock by secondary ion mass spectrometry

GB/T 32281-2015

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标准GB/T 32281-2015标准状态

发布于：2015-12-10
实施于：2017-01-01
废止

标准详情

标准名称：太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法
标准号：GB/T 32281-2015
中国标准分类号：H17
发布日期：2015-12-10
国际标准分类号：77.040.30
实施日期：2017-01-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验金属材料化学分析

内容简介

国家标准《太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱（SIMS）检测方法。本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0．2％（即＜1*10^20 atoms/cm^3），检测下限分别为氧含量≥5*10^16 atoms/cm^3、碳含量≥1*10^16 atoms/cm^3、硼含量1*10^14 atoms/cm^3和磷含量2*10^14 atoms/cm^3 四种元素体含量的测定可使用配有一次离子源的SIMS仪器一次完成。

起草单位

江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、中铝宁夏能源集团有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司、宁夏银星多晶硅有限责任公司、新特能源股份有限公司、

起草人

薛抗美、夏根平、范占军、蒋建国、王泽林、宋高杰、肖宗杰、盛之林、林清香、徐自亮、刘国霞、

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