GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法_标准下载

GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法

Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon—Inductively coupled-plasma mass spectrometry method

GB/T 37049-2018

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标准GB/T 37049-2018标准状态

发布于：2018-12-28
实施于：2019-04-01
废止

标准详情

标准名称：电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法
标准号：GB/T 37049-2018
中国标准分类号：H17
发布日期：2018-12-28
国际标准分类号：77.040.30
实施日期：2019-04-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验金属材料化学分析

内容简介

国家标准《电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定电子级多晶硅中痕量基体金属杂质含量的方法。本标准适用于GB/T 12963中在基体金属杂质小于5ng/g范围内铁、铬、镍、铜、锌、钠含量的测定。

起草单位

江苏中能硅业科技发展有限公司、有研半导体材料有限公司、新特能源股份有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、宜昌南玻硅材料有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、

起草人

鲁文锋、刘晓霞、赵而敬、王桃霞、柳德发、张园园、刘强、秦榕、孙燕、赵玉、王忠慧、银波、邱艳梅、

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