GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法_标准下载

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GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

GB/T 37051-2018

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标准GB/T 37051-2018标准状态

发布于：2018-12-28
实施于：2019-04-01
废止

标准详情

标准名称：太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
标准号：GB/T 37051-2018
中国标准分类号：H80
发布日期：2018-12-28
国际标准分类号：29.045
实施日期：2019-04-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。

起草单位

英利集团有限公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司、中国电子技术标准化研究院、泰州中来光电科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、

起草人

李锋、李英叶、吴翠姑、冯亚彬、唐骏、段青春、张伟、裴会川、程小娟、

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