GB/T 6219-1998 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范_标准下载

GB/T 6219-1998 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

GB/T 6219-1998

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标准GB/T 6219-1998标准状态

发布于：1998-11-17
实施于：1999-06-01
废止

标准详情

标准名称：半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
标准号：GB/T 6219-1998
中国标准分类号：L42
发布日期：1998-11-17
国际标准分类号：31.080.30
实施日期：1999-06-01
技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会
代替标准：代替GB 6219-1986
主管部门：工业和信息化部（电子）
标准分类：电子学半导体分立器件三极管

内容简介

国家标准《半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半导体器件分立器件规范》（IEC 747.11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。

起草单位

电子工业部标准化研究所、

起草人

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