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GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide

GB/T 8760-2020

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标准GB/T 8760-2020标准状态

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标准详情

  • 标准名称：砷化镓单晶位错密度的测试方法
  • 标准号：GB/T 8760-2020
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：2020-09-29
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2021-08-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 8760-2006
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《砷化镓单晶位错密度的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。本标准适用于｛100｝、{111｝面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0cm-2~100000cm-2。

起草单位

有研光电新材料有限责任公司、国合通用测试评价认证股份公司、广东先导稀材股份有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团第四十六研究所、雅波拓（福建）新材料有限公司、

起草人

赵敬平、 林泉、 刘淑凤、 姚康、 马英俊、 王彤涵、 陈晶晶、 付萍、 于洪国、惠峰、许所成、许兴、赵素晓、韦圣林、

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