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SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法

SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法

SJ/T 11490-2015

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  • 标准名称：低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
  • 标准号：SJ/T 11490-2015
    中国标准分类号：H83
  • 发布日期：2015-04-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2015-10-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电气工程半导体材料SJ 电子

内容简介

行业标准《低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000/cm的圆形GaAs晶片的EPD的测量。

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司

起草人

章安辉、何秀坤、刘兵

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