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SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

SJ/T 11586-2016

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  • 标准名称：半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
  • 标准号：SJ/T 11586-2016
    中国标准分类号：L40
  • 发布日期：2016-01-15
    国际标准分类号：31.080
  • 实施日期：2016-06-01
    技术归口：工业和信息化部电子工业标准化研究院
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电子学半导体分立器件半导体分立器件综合SJ 电子

内容简介

行业标准《半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了使用X射线辐射源(平均能量约10keV，最大能量不超过100keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所

起草人

罗宏伟、何玉娟、恩云飞

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