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SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范

SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范

SJ/T 11866-2022

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标准SJ/T 11866-2022标准状态

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标准详情

  • 标准名称:半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范
  • 标准号:SJ/T 11866-2022
    中国标准分类号:L45
  • 发布日期:2022-10-20
    国际标准分类号:31.26
  • 实施日期:2023-01-01
    技术归口:工业和信息化部
  • 代替标准:
    主管部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电子学SJ 电子

内容简介

行业标准《半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范》,主管部门为工业和信息化部。本文件规定了硅衬底白光功率发光二极管的详细要求,包括器件结构、性能要求,检验方法,检验规则以及包装、标志、运输和储存等。本文件适用于硅衬底白光功率发光二极管(以下简称“器件”)的生产、研制和检验。

起草单位

晶能光电(江西)有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西省晶能半导体有限公司、南昌光谷光电工业研究院有限公司、中节能晶和科技有限公司、江西省绿野汽车照明有限公司、深圳市长方集团股份有限公司、惠州雷世光电科技有限公司、长春希达电子技术有限公司、上海三思电子工程有限公司、深圳市洲明科技股份有限公司、中国光学光电子协会、惠州仲开高新区LED品牌发展促进会、中国计量科学研究院、江西通用节能科技有限公司、南昌高新区光电产业联盟

起草人

王敏、刘秀娟、江柳杨、涂洪平、封波、尹江涛、王志、姜利平、曾平、涂鸿斌、刘志刚、巢芳超、洪震、成森继、王琼、向健勇、白莹杰、何飞飞、陈赤

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