SJ/T 12006-2025 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板_标准下载

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SJ/T 12006-2025 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板

SJ/T 12006-2025

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标准SJ/T 12006-2025标准状态

发布于：2025-09-09
实施于：2026-03-01
废止

标准详情

标准名称：功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板
标准号：SJ/T 12006-2025
中国标准分类号：L90
发布日期：2025-09-09
国际标准分类号：31.03
实施日期：2026-03-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：工业和信息化部
标准分类：电子学 SJ 电子

内容简介

行业标准《功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板》，主管部门为工业和信息化部。本文件规定了功率半导体封装用活性金属仟焊（AMB）氮化铝陶瓷覆铜基板要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。本文件适用于采用AMB工艺制备的功率半导体封装用氮化铝陶瓷覆钢基板。

起草单位

无锡天杨电子有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、潮南国芯半导体科技有限公司、江苏富乐华半导体科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、浙江德汇电子陶瓷有限公司、合肥圣达电子科技实业有限公司、深圳市博敏电子股份有限公司、中国科学院上海硅酸盐研究所、上海富乐华半导体科技有限公司、宏微科技股份有限公司、嘉兴斯达半导体有限公司、江苏芯长征微电子集团股份有限公司、智新半导体有限公司、广州青整半导体有限公司、扬州国扬电于有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、中国科学院金属研究所

起草人

余晓初、朱萍、罗海辉、刘晓鹏、吴怡然、王斌、曹可慰、徐荣军、张浩、赵俊莎、史泽远、周泽安、母育锋、刘学建、段学锋、陈赛、王维乐、王晓宝、毛国锋、朱阳军、易彬、杨孝杰、张义政、晃宇晴、陈继春、千雁菊

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