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SJ/T 11976-2025 绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶

SJ/T 11976-2025 绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶

SJ/T 11976-2025

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标准SJ/T 11976-2025标准状态

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标准详情

  • 标准名称：绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶
  • 标准号：SJ/T 11976-2025
    中国标准分类号：L90
  • 发布日期：2025-05-09
    国际标准分类号：31.03
  • 实施日期：2025-08-01
    技术归口：中国电子技术标准化研究院
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电子学SJ 电子

内容简介

行业标准《绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶》，主管部门为工业和信息化部。本文件规定了IGBT用中子嫂变掺杂区熔硅单晶（以下简称NTD硅单晶）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书等。本文件适用于IGBT产品用NTD硅单晶。

起草单位

天津中环领先材料技术有限公司、中环领先半导体材料有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、天津中环半导体股份有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、南京新长征科技有限公司、西安卫光科技有限公司、湖南国芯半导体科技有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、电子科技大学、上海华虹宏力半导体制造有限公司、吉林华微电子股份有限公司、有研硅材料技术有限公司

起草人

由佰玲、孙健、张雪圆、王万礼、罗海辉、朱阳军、田媛、金锐、张波、张金平、杨继业、杨寿国、王永涛

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