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SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法

SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法

SJ 20858-2002

行业标准-SJ 电子强制性
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标准SJ 20858-2002标准状态

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内容简介

本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六所

起草人

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