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SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分

SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分

SJ/T 11492-2015

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  • 标准名称：光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
  • 标准号：SJ/T 11492-2015
    中国标准分类号：H83
  • 发布日期：2015-04-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2015-10-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电气工程半导体材料SJ 电子

内容简介

行业标准《光致发光法测定磷镓砷晶片的组分》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAP)晶片组分进行测试的方法。本标准适用于气相外延生长的,光致发光峰(λ)在640nm~670nm范围内时,对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAP晶片。

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、中国科学院半导体研究所、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司

起草人

李静、金鹏、何秀坤

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