GB/T 19444-2025 硅片氧沉淀特性的测试间隙氧含量减少法_标准下载

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GB/T 19444-2025 硅片氧沉淀特性的测试间隙氧含量减少法

Test method for oxygen precipition characteristics of silicon wafers—Interstitial oxygen reduction

GB/T 19444-2025

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标准GB/T 19444-2025标准状态

发布于：2025-06-30
实施于：2026-01-01
废止

标准详情

标准名称：硅片氧沉淀特性的测试间隙氧含量减少法
标准号：GB/T 19444-2025
中国标准分类号：H21
发布日期：2025-06-30
国际标准分类号：77.040
实施日期：2026-01-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：代替GB/T 19444-2004
主管部门：国家标准委
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《硅片氧沉淀特性的测试间隙氧含量减少法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。
本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法。
本文件适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试。

起草单位

麦斯克电子材料股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、浙大宁波理工学院、

起草人

方丽霞、陈卫群、寇文辉、王新社、肖世豪、朱晓彤、尚海波、章金兵、姚献朋、黄笑容、郭红强、刘丽娟、张海英、王江华、

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