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GB/T 32278-2025 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法

GB/T 32278-2025 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法

Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers

GB/T 32278-2025

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标准GB/T 32278-2025标准状态

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标准详情

  • 标准名称：碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
  • 标准号：GB/T 32278-2025
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：2025-08-01
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2026-02-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 32278-2015,GB/T 30867-2014
    主管部门：国家标准委
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。
本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。本文件适用于厚度为0.13 mm ~ 1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。

起草单位

北京天科合达半导体股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、连科半导体有限公司、派恩杰半导体（浙江）有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、安徽长飞先进半导体股份有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、

起草人

佘宗静、 彭同华、 王波、 杨建、 刘小平、 刘薇、 汪传勇、 赵文琪、 何烜坤、王大军、贺东江、吴殿瑞、黄宇程、胡动力、黄兴、

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