当前位置：标准网

GB/T 30856-2025 LED外延芯片用砷化镓衬底

GB/T 30856-2025 LED外延芯片用砷化镓衬底

GaAs substrates for LED epitaxial chips

GB/T 30856-2025

国家标准推荐性
收藏 报错

标准GB/T 30856-2025标准状态

  1. 发布于：
  2. 实施于：
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称：LED外延芯片用砷化镓衬底
  • 标准号：GB/T 30856-2025
    中国标准分类号：H83
  • 发布日期：2025-08-01
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2026-02-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 30856-2014
    主管部门：国家标准委
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《LED外延芯片用砷化镓衬底》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。
本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。

起草单位

南京集溢半导体科技有限公司、广东先导微电子科技有限公司、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、大庆溢泰半导体材料有限公司、深圳市冠科科技有限公司、中山德华芯片技术有限公司、全磊光电股份有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、中国科学院半导体研究所、易事达光电（广东）股份有限公司、广东中阳光电科技有限公司、

起草人

赵中阳、 郑红军、 刘建庆、 孙雪峰、 林作亮、 刘强、 赵春锋、 彭璐、 陈皇、 冯佳峰、于会永、张双翔、闫宝华、马金峰、赵有文、徐宝洲、兰庆、

相近标准

GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底
20243065-T-469 激光器外延芯片用砷化镓衬底
GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底
YS/T 1744-2025 半绝缘砷化镓单晶衬底片
SJ/T 11758-2020 液晶显示背光组件用LED芯片性能规范
DB1404/T 20─2021 消毒用UVC LED芯片 规格分类
GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB/T 30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法
SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

点击下载
  • 标准质量：

    • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
    ② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
    ③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。
  • 在线纠错
    • 标准过期 下载问题 模糊有误 其它问题

    「相关推荐」