T/IAWBS 006-2018 碳化硅混合模块测试方法
T/IAWBS 006-2018
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标准T/IAWBS 006-2018标准状态
- 发布于:2018-12-06
- 实施于:2018-12-17
- 废止
内容简介
本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求
本标准规定了极限值试验,特性参数测试、耐久性测试,根据特性参数确认模块特性,由此判断是否通过极限值试验
参数包括(集电极-发射极电压VCES,二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向(直流)电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1SCSOA1、二极管正向(不重复)浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等)
本标准还规定了检测报告中应给出的信息
起草单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司
起草人
张瑾,仇志杰,陆敏,彭同华,刘振洲,王志超,陈彤,郑红军, 林雪如,陈鹏,刘祎晨
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