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T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法

T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法

T/CASAS 027-2023

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标准详情

  • 标准名称：射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
  • 标准号：T/CASAS 027-2023
    中国标准分类号：C398
  • 发布日期：2023-06-30
    国际标准分类号：31.080.01
  • 实施日期：2023-07-01
    团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
  • 标准分类：C 制造业

内容简介

T/CASAS027—2023《射频GaNHEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaNHEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaNHEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100〖cm〗^2?(V?s)～20000〖cm〗^2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InPHEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。

起草单位

中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVA SYTEM INC.、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

起草人

魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、Roger Luo、裴轶、徐瑞鹏。

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