当前位置：标准网 团体标准

T/CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法

T/CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法

T/CASAS 046-2024

团体标准推荐性
收藏 报错

标准T/CASAS 046-2024标准状态

  1. 发布于：
  2. 实施于：
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法
  • 标准号：T/CASAS 046-2024
    中国标准分类号：/C397
  • 发布日期：2024-11-19
    国际标准分类号：31.080.01
  • 实施日期：2024-11-19
    团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
  • 标准分类：电子学C 制造业

内容简介

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中
随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件
由于SiCMOSFET在功率变换中常面临高压、高频、高温等复杂应力条件，其终端充放电效应，在开关性能明显优于Si器件的SiC器件中更为突出，为了验证终端的可靠性不会因器件导通和关断引起的电场强度持续变化而受到影响，有必要对SiCMOSFET在开关动态情况下的反偏可靠性进行评估
本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的动态反偏(DRB)试验方法
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的动态反偏(DRB)试验方法，用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。本文件适用于单管级和模块级SiCMOSFET。

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、中国电力科学研究院有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

起草人

陈媛、何亮、施宜军、毛赛君、陈兴欢、赵鹏、王宏跃、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、王民、王丹丹、谢峰、闵晨、杨霏、刘昌、朱占山、张诗梦、李汝冠、王来利、张彤宇、王铁羊、刘陆川、胡浩林、李炜鸿、赵高锋、李本亮、高伟。

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

标准网本地下载
  • 标准质量：

    • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
    ② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
    ③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。
  • 在线纠错
    • 标准过期 下载问题 模糊有误 其它问题

    「相关推荐」