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GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method

GB/T 19199-2003

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标准GB/T 19199-2003标准状态

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  • 标准名称：半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
  • 标准号：GB/T 19199-2003
    中国标准分类号：H82
  • 发布日期：2003-06-16
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2004-01-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：被GB/T 19199-2015代替
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于1．0×107 Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的测定。可测定的最低碳浓度为4.0×1014 cm-3。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、

起草人

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