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GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon

GB/T 1551-2009

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标准详情

  • 标准名称：硅单晶电阻率测定方法
  • 标准号：GB/T 1551-2009
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2009-10-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2010-06-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 1551-1995,GB/T 1552-1995被GB/T 1551-2021代替
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅单晶电阻率测定方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。 u3000u3000本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、

起草人

李静、 何秀坤、 张继荣、段曙光、

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