GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)_标准下载

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GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

GB/T 29332-2012

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标准GB/T 29332-2012标准状态

发布于：2012-12-31
实施于：2013-06-01
废止

标准详情

标准名称：半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
标准号：GB/T 29332-2012
中国标准分类号：L42
发布日期：2012-12-31
国际标准分类号：31.080.30;31.080.01
实施日期：2013-06-01
技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：工业和信息化部（电子）
标准分类：电子学半导体分立器件半导体分立器件综合三极管

内容简介

国家标准《半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

起草单位

西安电力电子技术研究所、英飞凌科技（中国）有限公司、江苏宏微科技有限公司、西安爱帕克电力电子有限公司、威海新佳电子有限公司、

起草人

蔚红旗、张立、王晓宝、秦贤满、陈子颖、乜连波、

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