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SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法

SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法

SJ/T 11824-2022

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  • 标准名称：金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法
  • 标准号：SJ/T 11824-2022
    中国标准分类号：L42
  • 发布日期：2022-10-20
    国际标准分类号：31.080.30
  • 实施日期：2023-01-01
    技术归口：中国电子技术标准化研究院
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电子学半导体分立器件三极管SJ 电子

内容简介

行业标准《金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法》，主管部门为工业和信息化部。本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率的测试方法。本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管。

起草单位

西安芯派电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团第十三研究所

起草人

罗义陈周帅、竹永辉、蔡巧娟、冯海科、侯青、崔波、张秋、侯雨晨、辛石磊

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