当前位置:标准网 行业标准

SJ/T 11865-2022 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底

SJ/T 11865-2022 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底

SJ/T 11865-2022

行业标准-SJ 电子推荐性
收藏报错

标准SJ/T 11865-2022标准状态

  1. 发布于:
  2. 实施于:
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称:功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底
  • 标准号:SJ/T 11865-2022
    中国标准分类号:H83
  • 发布日期:2022-10-20
    国际标准分类号:29.045
  • 实施日期:2023-01-01
    技术归口:中国电子技术标准化研究
  • 代替标准:
    主管部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电气工程半导体材料SJ 电子

内容简介

行业标准《功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底》,主管部门为工业和信息化部。本文件规定了功率器件用φ150mmn型碳化硅(sic)衬底的术语、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本文件适用于经抛光后制备的φ150mmn型sic衬底,晶型为4H。

起草单位

山东天岳先进科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司

起草人

高宇晗、宋生、张红岩、张秋、高超、梁庆瑞、窦文涛、杨世兴、房玉龙、李赟、冯淦、杨霏、李诚瞻、王英民、韩景瑞、李国平

相近标准

SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范
GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类
20233716-T-339 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范
20233689-T-339 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范
DB13/T 5118-2019 4H 碳化硅 N 型同质外延片通用技术要求
GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法
GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

  • 标准质量:
  • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准,期待。
    ② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们,感谢!
    ③ 本站资源均来源于互联网,仅供网友学习交流,若侵犯了您的权益,请联系我们予以删除。