SJ/T 12032-2025 半导体器件分立器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法_标准下载

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SJ/T 12032-2025 半导体器件分立器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法

SJ/T 12032-2025

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标准SJ/T 12032-2025标准状态

发布于：2025-09-09
实施于：2026-03-01
废止

标准详情

标准名称：半导体器件分立器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法
标准号：SJ/T 12032-2025
中国标准分类号：L42
发布日期：2025-09-09
国际标准分类号：31.080.30
实施日期：2026-03-01
技术归口：中国电子技术标准化研究院
代替标准：
主管部门：工业和信息化部
标准分类：电子学半导体分立器件三极管 SJ 电子

内容简介

行业标准《半导体器件分立器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法》，主管部门为工业和信息化部。本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“器件”）的通用测试方法，包括额定值（极限参数）验证、电特性测试与热特性测试。本文件适用于碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，其他金属氧化物半导体场效应晶体管也可参照使用。

起草单位

中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所、清纯半导体（宁波）有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、东南大学、株洲中车时代半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、国网智能电网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第十四研究所

起草人

闫美存、周圣泽、孙明、张秋、孙博涛、雷光寅、管灵鹏、吴维面、刘奥、陈义强、刘斯扬、刘国友、彭勇殿、金锐、吴军

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