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SJ/T 11975-2025 电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范

SJ/T 11975-2025 电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范

SJ/T 11975-2025

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标准详情

  • 标准名称：电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范
  • 标准号：SJ/T 11975-2025
    中国标准分类号：L42
  • 发布日期：2025-05-09
    国际标准分类号：31.080.30
  • 实施日期：2025-08-01
    技术归口：中国电子技术标准化研究院
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电子学半导体分立器件三极管SJ 电子

内容简介

行业标准《电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范》，主管部门为工业和信息化部。本文件规定了电力系统用压接式绝缘棚双极晶体管（以下简称电力系统用压接式IGBT或器件）的术语与定义、型号、尺寸、额定值、特性值、检验规则、标志、包装、运输及贮存等要求。本文件适用于含二极管或不含二极管的电力系统用压接式IGBT。

起草单位

国网智能电网研究院有限公司、北京智慧能源研究院、株洲中车时代电气股份有限公司、中电普瑞电力工程有限公司、国网山东省电力公司临沂供电公司、南方电网科学研究院有限责任公司、株洲中车时代半导体有限公司、西安中车永电电气有限责任公司、江苏宏微科技股份有限公司、南京新长征科技有限公司、嘉兴斯达半导体股份有限公司、许继电气股份有限公司、湖南国芯半导体科技有限公司、南京南瑞继保电气有限公司、电子科技大学、北京工业大学、南京南瑞半导体有限公司

起草人

金锐、魏晓光、王耀华、罗海辉、张朋、李立、查鲲鹏、孙宝奎、刘国友、吴磊、王晓宝、朱阳军、毛国锋、胡学彬、张波、张金平、吴郁、骆健、和峰

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