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SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

SJ/T 11493-2015

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  • 标准名称：硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
  • 标准号：SJ/T 11493-2015
    中国标准分类号：H82
  • 发布日期：2015-04-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2015-10-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电气工程半导体材料SJ 电子

内容简介

行业标准《硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。本标准适用于锑、砷、磷的掺杂浓度at·cm)的单晶样品,其中氮的浓度大于等于1×10at•cm。

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司

起草人

马农农、何友琴、何秀坤

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