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T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片

T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片

T/CASAS 003-2018

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  • 标准名称：p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
  • 标准号：T/CASAS 003-2018
    中国标准分类号：A011
  • 发布日期：2018-11-20
    国际标准分类号：31.080.01
  • 实施日期：2018-11-20
    团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
  • 标准分类：A 农、林、牧、渔业电子学

内容简介

SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件
10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiCPiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等
从结构上看，n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似，所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底
由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底，为了制造n沟道IGBT器件材料，需要使用反转型n沟道IGBT器件结构，制造工艺复杂
与n沟道IGBT相比，p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单，而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底，即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料，正是该p+型漂移层，使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能

起草单位

东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、中国科学院微电子研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院

起草人

孙国胜、李锡光、杨霏、柏松、李诚瞻、高玉强、许恒宇、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙

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