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T/CNS 81-2022 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法

T/CNS 81-2022 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法

T/CNS 81-2022

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  • 标准名称:电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法
  • 标准号:T/CNS 81-2022
    中国标准分类号:F70/C397
  • 发布日期:2022-12-16
    国际标准分类号:27.120.01
  • 实施日期:2023-04-01
    团体名称:中国核学会
  • 标准分类:能源和热传导工程C 制造业

内容简介

本文件适用于宇航用CCD位移损伤效应辐照试验
本文件描述了采用质子对电荷耦合器件(CCD)进行位移损伤效应辐照试验的一般要求、试验方法和程序。

起草单位

中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团公司第五研究院物资部

起草人

文林、李豫东、郭旗、周东、何承发、张兴尧、于新、冯婕、王信、张丹、崔帅、李鹏伟

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