T/CASAS 043-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法_标准下载

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T/CASAS 043-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法

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标准T/CASAS 043-2024标准状态

发布于：2024-11-19
实施于：2024-11-19
废止

标准详情

标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法
标准号：T/CASAS 043-2024
中国标准分类号：/C397
发布日期：2024-11-19
国际标准分类号：31.080.01
实施日期：2024-11-19
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准分类：电子学 C 制造业

内容简介

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中
随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频、高湿等极端环境下工作的电子器件
SiCMOSFET的高温可靠性试验是使器件在高温或高温高湿的环境下，承受高电压应力，以暴露跟时间、应力相关的缺陷
器件能否承受规定应力条件下的试验是评估器件实际应用可靠性的重要手段
由于SiC/SiO2界面陷阱、近界面氧化物陷阱以及氧化物层中的缺陷和可移动电荷等问题，在长期高应力的测试环境下，导致SiCMOSFET器件的失效机制变得复杂，例如阈值电压"V"_"GS(th)"和米勒电容的变化等
SiCMOSFET的高温可靠性试验方法及监控参数，需要做出相应的调整，本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的高温反偏试验方法
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFETs）高温反偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围：SiCMOSFET分立功率器件，功率模块。

起草单位

忱芯科技(上海)公司、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、浙江大学、广电计量检测集团股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、东风汽车集团有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、怀柔实验室、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江大学绍兴研究院、西安交通大学、中国电力科学研究院有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、上海维安电子股份有限公司、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

起草人

毛赛君、杨书豪、陈媛、项载满、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、解锟、任志恒、李钾、王民、孙博韬、陈中圆、王丹丹、周紫薇、刘红超、郭清、林氦、张彤宇、张雷、王阳、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、段果、李本亮、徐瑞鹏。

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