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GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon

GB/T 13389-2014

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  • 标准名称：掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
  • 标准号：GB/T 13389-2014
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2014-12-31
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2015-09-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 13389-1992
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂荆浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。本标准适用于掺硼浓度10^14cm-3～1×1020cm-3,掺磷浓度3×10^13cm-3～1×10^20cm-3,掺砷浓度10^19cm-3～6×10^20cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶渗杂剂浓度可扩展到10^12cm-3。本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。

起草单位

有研半导体材料股份有限公司、中国计量科学研究院、杭州海纳半导体有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、浙江省硅材料质量检验中心、浙江金瑞泓科技股份有限公司、

起草人

孙燕、 梁洪、 张静、 王飞尧、 高英、楼春兰、

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