SJ/T 11853-2022 正压悬浮区熔单晶硅炉
SJ/T 11853-2022
行业标准-SJ 电子推荐性收藏报错
标准SJ/T 11853-2022标准状态
- 发布于:2022-10-20
- 实施于:2023-01-01
- 废止
内容简介
行业标准《正压悬浮区熔单晶硅炉》,主管部门为工业和信息化部。本文件规定了正压悬浮区熔单晶硅炉(以下简称“区熔炉”)的产品标记和主要参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、储存。本文件适用于以高纯多晶硅做原料,采用悬浮区熔法进行半导体级单晶硅生长的单晶硅炉。
起草单位
浙江晶盛机电股份有限公司、浙江晶鸿精密机械制造有限公司、浙江求是半导体设备有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、中国电子技术标准化研究院
起草人
曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、郑丽霞、叶钢飞、刘嘉、王遵义、孙健、曹可慰、吴怡然、李其聪
相近标准
JB/T 9692.1-1999 工频无心感应熔铁(钢)炉和铁保温炉
JB/T 5654-1991 坩埚式熔铝电阻炉能耗分等
JB/T 5655-1991 熔铅、铅锑合金电阻炉能耗分等
20240429-T-464 医药工业洁净室(区)悬浮粒子的测试方法
DB36/T 600-2010 蓄热式熔铝反射炉
YY 0141-1993 医药工业洁净室和洁净区悬浮粒子的测试方法
DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片
GB/T 4060-2018 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 4059-2018 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。
- 标准质量:
- ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准,期待。
② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们,感谢!
③ 本站资源均来源于互联网,仅供网友学习交流,若侵犯了您的权益,请联系我们予以删除。
下载说明
「相关推荐」
- 1 SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范
- 2 SJ/T 11858-2022 贴片式微型振动器通用规范
- 3 SJ/T 11856.1-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第1部分:
- 4 SJ/T 11819-2022 电子画屏通用规范
- 5 SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范
- 6 SJ/T 10557.1-2022 电解电容器用铝箔技术条件
- 7 SJ/T 11467-2022 电子电气产品中有害物质的风险评估指南
- 8 SJ/T 11828.2-2022 光伏组件自然曝露试验及年衰减率评价 第2部分:
- 9 SJ/T 11875-2022 电动汽车用半导体集成电路应力试验程序
- 10 SJ/T 11814-2022 童车用锂离子电池和电池组 通用规范
- 11 SJ/T 11862-2022 锂电池术语
- 12 SJ/T 11140-2022 铝电解电容器用电极箔