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SJ/T 11972-2025 压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳

SJ/T 11972-2025 压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳

SJ/T 11972-2025

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标准详情

  • 标准名称：压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳
  • 标准号：SJ/T 11972-2025
    中国标准分类号：L42
  • 发布日期：2025-05-09
    国际标准分类号：31.080.99
  • 实施日期：2025-08-01
    技术归口：全国半导体设各和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电子学半导体分立器件其他半导体分立器件SJ 电子

内容简介

行业标准《压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳》，主管部门为工业和信息化部。本文件规定了压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳的术语和定义、产品类别、要求、出厂检验和型式试验、试验方法、标识包装运输贮存和产品质量证明等要求。本文件适用于压接式绝缘棚双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳（以下简称管壳），

起草单位

江阴市赛英电子股份有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、无锡天杨电子有限公司、全球能源互联网研究院、株洲中车时代半导体有限公司、南方电网科学研究院有限责任公司、西安卫光科技有限公司、中南大学、南京新长征科技有限公司、湖南国芯半导体科技有限公司、西安中车永电电气有限责任公司、电子科技大学、嘉兴斯达半导体股份有限公司、江苏宏微科技股份有限公司

起草人

陈国贤、徐宏伟、陈强、张琼、罗海辉、余晓初、金锐、刘国友、李凌飞、朱文辉、田媛、朱阳军、吴磊、张金平、毛国锋、王晓宝

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